半导体资料专家梁骏吾院士去世

半導體資料專（zhuān）家（jiā）梁（liáng）駿吾院士去世。

　　【光亮追思】。

　　半導體（tǐ）資料專家、我國工程院（yuàn）院士、我國科學院半導體所研討員梁駿吾（wú），因病（bìng）醫治無效，於2022年6月23日在（zài）北京（jīng）去世，享年（nián）89歲。

　　梁駿吾，1933年9月18日出（chū）世，湖北武漢人。1955年結業於武漢大學，1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研討所攻讀副博士學位，1960年獲技術科學副博士學位（wèi）。 1997年當選為我國工程院院士。曾任我國電子（zǐ）學（xué）會半電子（zǐ）資料學分會主任、聲譽主任。

　　梁駿（jun4）吾是（shì）我國（guó）從事矽資料研討的元老級專家，在20世紀60年代處理了高（gāo）純（chún）區熔矽（guī）的關（guān）鍵技術。1964年（nián）製備出（chū）室溫激光器用GaAs 液相外延資料（liào）。1979年研製成功為大規模（mó）集成電路用的無位錯、無旋渦、卑（bēi）微缺點（diǎn）、低碳（tàn）、可控氧量的優質矽（guī）區熔單晶。80年代創始了摻（chān）氮中子嬗變矽單晶，處理了矽片的完整（zhěng）性和均勻性的問題。90年代初研討MOCVD成長超晶格量（liàng）子阱（jǐng）資（zī）料，在晶體完整性、電（diàn）學功能和超晶（jīng）格結構操控方麵，將我國超晶格量子阱資料（liào）推進到有用水平。

　　梁駿吾終身與（yǔ）半導體資料科研工作相伴，他曾在采訪中（zhōng）說，期（qī）望經過自己的科研閱曆，帶給年青科研人（rén）員一些啟示，讓他們（men）看（kàn）到這份工作可以有所作為，讓他們覺（jiào）得自己相（xiàng）同可以作出成果。（光亮日報全媒體記者李苑）。